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Développement d'un amplificateur de puissance RF

Le but de ce projet est la conception, la réalisation, l'optimisation et la qualification d'un amplificateur RF de forte puissance. La société IXYSRF à commercialisé récemment des transistors MOS haute tension particulièrement intéressant pour une application d'amplificateur RF du fait de leur coût et de leurs performances. Ce projet devrait permettre le développement d'un amplificateur développant une puissance de sortie d'1kW articulé autour de ces composants. Le projet est organisé en plusieurs phases: 1. Design, simulations et optimisations Durant cette phase, l'étudiant devra élaborer un schéma, l'introduire dans un outil de simulation du type ADS et optimiser les valeurs des différents composants. 2. Réalisation pratique L'étudiant devra réaliser un circuit imprimé selon le schéma déterminé en phase 1. La réalisation pratique du circuit devra permettre une optimisation des valeurs de composants en fonction des performances du circuit. 3. Mesures et qualifications Durant la dernière partie de ce projet, l'étudiant conduira toute une série de mesures permettant de qualifier le circuit. Les paramètres suivants devront entre autre être qualifiés: - Puissance de sortie - Rendement - Taux d'intermodulations - Bande passante - Génération d'harmoniques En fin de projet, un rapport détaillé devra couvrir les choix effectués, les optimisations et les mesures.