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Dépôt et caractérisation de couches minces de Oxi-nitrures de silicum par PECVD

Par procédé PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition) on dépose des couches d'oxyde de silicium (SiO2) et d'oxi-nitrures de silicium (SiOxNy). Le but de ce travail est de décomposer de l'hexamethyldisiloxane (HMDS) grâce à un plasma afin d'obtenir ses couches à température ambiante. Comparé à des méthodes classiques de dépôts, le procédé par PECVD permet de diminuer le temps de travail et la température. Il y a diverses applications à ce projet : des couches de packaging dans des chips électroniques, des barrières de diffusion dans l'industrie alimentaire, des couches de protection transparentes, etc. La caractérisation de l'épaisseur se fait par deux méthodes (a-step et ellipsométrie). La structure est analysée par divers procédés (analyse par faisceau ionique, spectrométrie infrarouge et analyse du spectre d'émission du plasma et par analyse par rayon x).